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HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q-Class
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Q g , Low Intrinsic R g
High dV/dt, Low t rr
IXFB 72N55Q2
V DSS = 550 V
I D25 = 72 A
R DS(on) = 72 m ?
t rr ≤ 250 ns
Preliminary Data Sheet
PLUS 264 TM (IXFB)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
550
550
± 30
± 40
72
284
72
V
V
V
V
A
A
A
G
D
S
G = Gate
S = Source
(TAB)
D = Drain
TAB = Drain
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
60
5.0
20
890
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
mJ
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
Features
Double metal process for low gate
resistance
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Fast intrinsic rectifier
Applications
F c
Weight
Mounting Force
30...120/7.5...27 N/lb
10 g
DC-DC converters
Switched-mode and resonant-mode
power supplies, >500kHz switching
DC choppers
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Pulse generation
Laser drivers
Advantages
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 1mA
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 30 V, V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Note 1
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
550
2.5
V
5.0 V
± 200 nA
100 μ A
5 mA
72 m ?
PLUS 264 TM package for clip or spring
mounting
Space savings
High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS98999C(10/03)
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